南昌高新区晶能光电国家技术中心创新能力提升和产能提升项目

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（略）创新能力提升和产能提升项目
建设项目（略）域高新（略）
建设地点：（略）
详细地址：（略）
项目总投资19900万元
建设规模及内容本项目充分利用现有厂房和设备，逐步淘汰落后产能设备，更换、新增购置MOCVD、中拓PL仪、PECVD、溅射台等仪器设备，预计50余台（套），（略）关键工艺环节设备的先进性和检测老化测试能力，（略）实施和验证更多的技术创新可行性，拓展技术开发的广度和深度，同时，不断提升产品的性能、良率和可靠性，增加产能。|&|&|预期本项目完工后，可开发出更多具有核心竞争优势的LED芯片，应用于对光品质要求更高、方向性更好的手机闪光灯、汽车照明、移动照明、VR/AR、超高清显示等高端细分应用领域，在部分领域实现国产替代，预计新增产能2万片/月（4寸）。
（略）
开工时间2024年01月
竣工时间2026年12月
项目类型备案类
备案状态已备案
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