井冈山星燃电子科技有限公司半导体器件专用设备制造项目

（略）（略）-（略）
（略）半导体器件专用设备制造项目
建设项目（略）域井（略）
建设地点：（略）
详细地址：（略）
项目总投资14000万元
建设规模及内容生产销售半导体分立器、半导体器件专用设备制造，（略）集成服务及配套组件生产|&|&|新建厂房面积13000平方米，建设半导体器件生产线4条。
（略）
开工时间2024年01月
竣工时间2024年12月
项目类型备案类
备案状态已备案
FF000E;()DD000E;EE000E;